“光刻掩模”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果53050个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光刻掩模-CN201711306343.0在审
发明人：石志聪;石世昌;陈立锐;郑博中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种光刻掩模。光刻掩模包括基板，其包含低热膨胀材料。光刻掩模也包括反射结构，设置于基板上方。反射结构包括第一层和设置于第一层上方的第二层。至少第二层为多孔。光刻掩模的制造方法包括于基板上方形成多层反射结构，形成多层反射结构包括形成多个重复薄膜对，薄膜对各自包括第一层和多孔第二层。于多层反射结构形成上方盖层。于盖层上方形成吸收层。
光刻掩模多层反射结构第一层基板反射结构盖层薄膜低热膨胀材料吸收层光刻重复制造

[发明专利]光刻掩模修复工艺-CN201310150870.2有效
发明人：吕建兴;林重宏;温志伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G03F1/74 文献下载
摘要：一种方法包括对光刻掩模实施束扫描以修复光刻掩模。在束扫描之后，对光刻掩模实施辐射处理。通过一种装置实施该方法，该装置包括被配置成生成束并且将束投射到光刻掩模上的束发生器，被配置成在光刻掩模上生成辐射的辐射源，和被配置用于释放加工气体到光刻掩模上的加工气体源。加工气体与光刻掩模的表面部分发生反应以修复光刻掩模。利用辐射处理，光刻掩模上的残余加工气体被去除。本发明还提供了光刻掩模修复工艺。
光刻修复工艺

[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统-CN200910208363.3无效
发明人：井上忠宣;D·O·梅尔威尔;牟田英正;田克汉;阪本正治;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对，用于确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。掩模版图数据包括多个多边形，每一个多边形具有多个边缘。每一个目标边缘对由一个或多个多边形中的两个边缘限定。确定光刻掩模的可制造性，包括确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。使用在连续尺度上表征光刻掩模的可制造性的连续导数，确定光刻掩模的可制造性。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
用于确定光刻制造方法系统

[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统-CN200910222007.7有效
发明人：井上忠宣;D·O·梅尔维勒;牟田英正;田克汉;阪本正治;A·E·罗森布鲁斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件的实例中使用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模布局数据选择目标边缘对以确定光刻掩模制造中的制造损失。掩模布局数据包括多个多边形，各多边形具有多个边缘，各目标边缘对由一个或更多个多边形的边缘中的两个限定。减少目标边缘对的数量，以减少确定光刻掩模制造中的制造损失的计算量。基于数量减少的目标边缘对确定光刻掩模的可制造性，包括确定光刻掩模制造中的制造损失。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于光刻掩模制造中的制造损失。
用于确定光刻制造方法系统

[发明专利]在校正光刻掩模中使用掩模制造模型-CN202080072256.7在审
发明人： L·S·梅尔文三世;K·J·胡克 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：光刻过程通过光刻掩模的设计和光刻配置的描述来描述，其可以包括光刻源、收集/照射光学器件、投影光学器件、抗蚀剂和/或后续制造步骤。实际的光刻过程使用从掩模设计制造的光刻掩模，该光刻掩模可以与标称掩模设计不同。掩模制造模型对从掩模设计制造光刻掩模的过程进行建模。通常，这是一种电子束(e‑beam)过程，该过程包括电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用图案化抗蚀剂蚀刻掩模坯。掩模制造模型通常与其他过程模型一起用于估计光刻过程的结果。然后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。
校正光刻掩模中使用制造模型

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法-CN201910742905.9在审
发明人：王辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构；步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；步骤三、采用掩模版对光刻胶进行曝光，进行显影形成光刻图形，在曝光过程中，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形掩模版侧壁形貌掩模版图形图形结构侧面逐渐变化曝光光侧壁掩模版设计光刻工艺曝光过程曝光光刻胶后烘基底显影

[发明专利]一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法-CN201711220783.4有效
发明人：朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法，其特征在于，步骤包括：在SiC衬底上形成抗刻蚀掩模层；在抗刻蚀掩模层上形成形貌控制掩模层；腐蚀形貌控制掩模层，包括：在形貌控制掩模层上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行光刻，形成形貌控制掩模层的腐蚀窗口，利用腐蚀窗口对形貌控制掩模层进行腐蚀，以及在形貌控制掩模层上涂覆第二光刻胶层，对第二光刻胶层进行光刻，在形貌控制掩模层上形成刻蚀窗口，利用刻蚀窗口对形貌控制掩模层进行侧蚀，在光刻胶层与抗刻蚀掩模层之间形成刻蚀间隙；腐蚀抗刻蚀掩模层，在抗刻蚀掩模层上形成缓坡角度；以及刻蚀衬底，形成具有缓坡角度的衬底。
一种角度可控 sic 衬底缓坡刻蚀方法

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版-CN201910742911.4在审
发明人：王辉;张雪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域光刻图形的侧壁的高度高，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌。本发明还公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法。本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形侧壁形貌掩模版曝光光侧壁掩模版图形图形结构侧面逐渐变化光刻工艺

[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法-CN200910222443.4有效
发明人：井上忠宣;D·O·马勒维尔;牟田英正;田克汉;上條昇;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘。掩模版图数据包括遍及多个基元而分布的多个多边形，其中每一个多边形具有多个边缘。基元包括中心基元、在中心基元上下的两个垂直基元以及在中心基元左右的两个水平基元。以减少在确定制造惩罚中的计算量的方式选择目标边缘对，用于确定形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对而确定光刻掩模的可制造性，包括形成光刻掩模时的制造惩罚。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
用于确定光刻制造方法

[发明专利]利用光刻胶模板掩模的频率加倍-CN200810175121.4无效
发明人：克里斯多佛·D·本彻尔;戴会雄;立彦·苗;陈浩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明描述了一种利用光刻胶模板掩模的频率加倍的方法。根据本发明的实施例，首先提供其上形成有光刻胶层的器件层。图案化光刻胶层以形成光刻胶模板掩模。间隔物形成材料层被沉积在光刻胶模板掩模上。间隔物形成材料层被刻蚀，以形成间隔物掩模并暴露光刻胶模板掩模。光刻胶模板掩模随后被去除，并且间隔物掩模的图像最终被转移到器件层。
利用光刻模板频率加倍

[发明专利]一种浸没式超分辨光刻方法-CN202211702747.2在审
发明人：罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;赵泽宇;高平;王长涛 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供一种浸没式超分辨光刻方法，包括：在基底上制备依次叠设的反射金属层、感光层及表层金属层；选择包括图形区和非图形区的光刻掩模版，光刻掩模版的非图形区形成有导液槽；将光刻掩模版置于表层金属层上方，在表层金属层与光刻掩模版之间填充浸没液体，调节光刻掩模版与表层金属层之间的间隙距离至预定间隙范围内，其中，多余的浸没液体通过导液槽导出；基于光刻掩模版对感光层进行超分辨光刻，显影得到超分辨光刻图形结构。该浸没式超分辨光刻方法通过在光刻掩模版与成像结构之间引入浸没液体，能够提高光刻掩模版与成像结构之间传输介质的折射率，进而能够提高光刻图形的对比度和分辨率。
一种浸没分辨光刻方法

[发明专利]补偿电路元件中的沉积不均匀性-CN202211009872.5在审
发明人： B.J.伯克特;R.巴伦德斯 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种制造诸如量子计算电路元件的电路元件的方法，包括：获得包括表征一个或多个掩模特征的掩模信息的光刻掩模写入文件；获得均匀性函数，该均匀性函数被配置为修改该掩模信息以补偿不均匀的沉积过程；将均匀性函数应用于光刻掩模写入以获得修改的光刻掩模写入文件；和按照修改的光刻掩模写入文件的指示执行光刻。
补偿电路元件中的沉积不均匀

[发明专利]补偿电路元件中的沉积不均匀性-CN201780051576.2有效
发明人： B.J.伯克特;R.巴伦德斯 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种制造诸如量子计算电路元件的电路元件的方法，包括：获得包括表征一个或多个掩模特征的掩模信息的光刻掩模写入文件；获得均匀性函数，该均匀性函数被配置为修改该掩模信息以补偿不均匀的沉积过程；将均匀性函数应用于光刻掩模写入以获得修改的光刻掩模写入文件；和按照修改的光刻掩模写入文件的指示执行光刻。
补偿电路元件中的沉积不均匀

[发明专利]一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法-CN202210701458.4在审
发明人：罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;牟帅;谷雨;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种材料填充保护光刻掩模的制备方法，包括：S1，在掩模基底上沉积光刻掩模材料，制备掩模图形结构；S2，向掩模图形结构中填充透明介质材料；S3，对S2中所得掩模进行退火处理；S4，对S3中所得掩模的表面进行化学机械抛光，以显露出掩模图形结构，得到材料填充保护的光刻掩模。本公开通过在接触式光刻掩模图形加工过程中对掩模图形结构进行材料填充，增大掩模图形结构与感光材料之间的接触面积与强度，从而有效提升接触式光刻掩模版的使用寿命，同时降低了掩模加工成本，拓展了接触式光刻技术的应用范围
一种材料填充保护光刻及其制备方法

[发明专利]反射光刻掩模和系统及方法-CN201210281319.7有效
发明人：刘键炫;王仁磐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了各种非平坦反射光刻掩模、采用这种光刻掩模的系统和方法。实施例是一种光刻掩模，包括透明衬底、反射材料和中间掩模图案。透明衬底包括弯曲表面。中间掩模图案位于透明衬底的第二表面上。中间掩模图案的反射率低于反射材料的反射率。公开了形成类似光刻掩模和使用类似光刻掩模的方法。
反射光刻系统方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 53050 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top